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[填空题]

在PN结形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

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第1题
当pn结()向连接时, 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变(),允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
当pn结()向连接时, 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变(),允许pn结上有较大的电流通过;当pn结

()向连接时,阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展(),pn结上只允许较小的()电流通过。

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第2题
PN结的内电场对载流子的扩散运动起()作用,对漂移运动起()作用。

A.阻碍

B.促进

C.促进

D.阻碍

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第3题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。此题为判断题(对,错)。
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第4题
半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。

A.N区自由电子向P区的漂移运动

B.P区自由电子向N区的漂移运动

C.P区自由电子向N区的扩散运动

D.N区自由电子向P区的扩散运动

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第5题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第6题
在PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子,又有少数载流子

D.不一定

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第7题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第8题
PN结加正向电压时,空间电荷区(),此时电流由()运动形成。
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第9题
在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流;当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。

A.小于,大于

B.大于,小于

C.大于,大于

D.小于,小于

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第10题
对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:()。

A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动

B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动

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第11题
PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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