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[主观题]
已知图15－51（a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15－51（b)，（c) 所示。（1)利用图解法求解Q点；（
已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解Au，ri和ro。
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已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解Au，ri和ro。
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在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的
在图4-60所示的电路中，已知Uab=Ubc，R=10Ω，
Zab=R+jXL。试求
同相时Zab等于多少？
图所示电路中，电流表A的内阻很小，可忽略不计。已知R1=R4=10Ω，R2=R3=20Ω，us=60V。则A表读数多少
超前于
90°，超前于
30°，求U1和U2。
