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[主观题]
在图3－6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS（th)=－1V，并忽略沟道长度调制效应。
在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的
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=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的
均相同,沟道长度调制效应忽略不计.
(2)功率增益P。/PAS值，其中
(3)电路成为振荡器的条件。
在图14.14所示的两个电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
在图2.4所示稳态直流电路中，已知IS=2A，US=2V，R=2Ω，C=2μF，L=2mH，求R，C和L的电流和电压。
超前于
超前于
求U1和U2。
