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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

电力场效应管(MOSFET)按照导电沟道分为()。

A.P沟道

B.N沟道

C.耗尽型

D.增强型

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第1题

关于场效应管，下列说法错误的是()。

A.场效应管只有一种载流子导电，所以是单极型器件

B.场效应管是电压控制电流型器件，分为MOSFET和JFET两大类

C.MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成机理不同，NMOS管和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种

D.JFET也分N沟道和P沟道，所以也各有增强型和耗尽型两种

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第2题

电力场效应管(MOSFET)主要采用何种结构形式()。

A.P沟道耗尽型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.N沟道增强型

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第3题

增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。（）

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第4题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第5题

电力场效应管(MOSFET)的三个电极为()。

A.漏极

B.栅极

C.源极

D.基极

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第6题

MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关：（）。

A.氧化层电容

B.沟道长度

C.载流子迁移率

D.电源电压

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第7题

采用的开关器件通常有（)和绝缘栅双极性晶体管（IGBT)等。

A.功率晶体管(GTR)

B.普通晶闸管(SCR)

C.可关断晶闸管(GTO)

D.功率场效应管(MOSFET)

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第8题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第9题

P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为（）。

A.正值

B.负值

C.vGS

D.零

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第10题

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。

A.正值

B.负值

C.零

D.以上都不是

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第11题

n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

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