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第1题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第2题
电路如图P3.1（c)、（e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
第4题
如下图所示的稳压电路中，已知输入电压UI的变化范围为15～25V，负载电流IL的变化范围为0～15mA，稳压管的参数为I
如下图所示的稳压电路中，已知输入电压UI的变化范围为15～25V，负载电流IL的变化范围为0～15mA，稳压管的参数为IZmax=50mA，IZmin=5mA，稳压值UZ=6V，求限流电阻R的取值范围。
第5题
已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的gm=1mS，设rdm＞ Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的gm=1mS，设rdm＞ Rd。（1)画出电路的小信
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号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
第6题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第7题
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,试画出电路传输
电路如图LPS4-6（a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,试画出电路传输
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电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
第8题
由TTL门组成的电路如下图所示。已知它们的输入短路电流为IIs=1.6mA，高电平输入漏电流为IiH=40μA，试问，当A=B=1时，G1的电流称为______电流，数值为______；A=0时，G1的电流称为______电流，数值为______。
A.拉，3.2mA，灌，160μA
B.灌，6.4mA，拉，160μA
C.灌，3.2mA，拉，160μA
D.灌，3.2mA，拉，80μA
第9题
电压串联负反馈放大器交流通路如图LT5-8所示,已知二极管gm=77mS,β=100,Av=500,电路参
数RE1=51Ω,Rf=1.2kΩ,RB=10kΩ,试在满足深度负反馈条件下,求
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第10题
在下图所示电路中，已知晶体管的β=80，rbe=1kΩ，Ui=20mV；静态时UBEQ=0.7V，UCEQ=4V，IBQ=20uA。判断下列结论是否
在下图所示电路中，已知晶体管的β=80，rbe=1kΩ，Ui=20mV；静态时UBEQ=0.7V，UCEQ=4V，IBQ=20uA。判断下列结论是否正确。
、弯矩M图。
