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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

场效应管是通过改变来改变漏极电流的（）。

A.漏源极电压

B.栅极电流

C.栅源极电压

D.源极电流

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第1题

()是半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第2题

某场效应管，在漏、源电压保持不变的情况下，柵源电压UGs变化4V，相应的漏极电流变化16mA，该管的跨导是（）。

A.4mA/V

B.0.25mA/V

C.0.25V/mA

D.4A/V

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第3题

场效应管的主要参数有()等。

场效应管的主要参数有（)等。

A . 夹断电压

B . 开启电压

C . 饱和漏极电流

D . 低频跨导

E . 最大耗散功率

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第4题

压磁式传感器与电感式传感器既相似又不同，不同之处主要体现在()环节。

A.通过不同因素的改变来引起电感值改变的

B.通过不同因素的改变来引起被测电量的改变

C.通过不同因素的改变来引起线圈匝数的改变

D.通过不同因素的改变来引起线圈磁导率的改变

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第5题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：（1)它是N沟道还是P沟道的FET？（2)它的夹断电压u_P

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：

(1)它是N沟道还是P沟道的FET？

(2)它的夹断电压u_P和饱和漏极电流I_DSS各是多少？

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第6题

双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（）接法。

A.共基极

B.共源极

C.共漏极

D.共栅极

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第7题

短沟道效应会导致的后果不包括的是（)。

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

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第8题

场效应管的漏极用英文字母()表示.

A.S;

B.G;

C.D;

D.V

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第9题

MOS场效应管结构包括（)。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第10题

通常怎样改变外界条件来改变来影响化学平衡的移动？

通常怎样改变外界条件来改变来影响化学平衡的移动？

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第11题

完整性检查程序是反病毒程序，它通过识别文件和系统的改变来发现病毒。（)

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