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第6题
电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为gm1=1mS，gm2=0.2mS，且满足1/gm1 ＜ ＜ r
电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为gm1=1mS，gm2=0.2mS，且满足1/gm1＜ ＜ rds1和1/gm2＜ ＜ rds2，试求Av=v0/vi。
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第7题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为，管子极问电容不计。电路元件RO=
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为
，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
第9题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V，Rg=500千欧，RL=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0。
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第10题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，VDD=VSS=5V，Rg=100千欧，R
电路如图题4.5.5（主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，VDD=VSS=5V，Rg=100千欧，R
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=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
