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[主观题]

电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为g_m1=1mS，g_m2=0.2mS，且满足1/g_m1 ＜＜ r

电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为g_m1=1mS，g_m2=0.2mS，且满足1/g_m1＜＜ r_ds1和1/g_m2＜＜ r_ds2，试求Av=v₀/v_i。

电路如图题5.2.8所示，设场效应管的参数为gm1=1mS，gm2=0.2mS，且满足1/gm1 ＜

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第1题

电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，V_DD=V_SS=5V，R_g=100千欧，R

电路如图题4.5.5（主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA，V_DD=V_SS=5V，R_g=100千欧，R_{d=10千欧，R_L=1千欧，R_s1=1千欧。场效应管参数为V_TS=1V，K_m=1mA/V₂，λ=0。试求(1)输入电阻R_i和输出电阻R₀;(2)电流增益A_is=i₀/i_s。}

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第2题

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

为V_DD=V_SS=5V，R_g=500千欧，R_L=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益A_g=v₀/v₁和输出电阻R₀。

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第3题

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示，其中V_DD=20V，R_g1=300千欧，R_g2=15千欧，，R_g3

=2M，R_d=10千欧，R=2千欧，C_b1=1μ_F，C_b2=1μ_F，R_L=100千欧，。试运用SPICE进行如下分析计算：(1)求电路的静态工作点;(2)输入v_i频率为1kHz，幅值为10mV的正弦信号，观察v_i及v₀的波形;(3)求小信号电压增益，电流增益，输入电阻及输出电阻。

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第4题

已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的g_m=1mS，设r_dm＞ R_d。(1)画出电路的小信

已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的g_m=1mS，设r_dm＞ R_d。（1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益A_F;(3)求放大器的输入电阻R_i。

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第5题

电路如图题7.1.6所示，设T₁、T₂的特性完全相同，且r_ee＞R_e2，r_e≈V_T＜R，求电

流源的输出电阻。

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第6题

电路如图题3.5.1所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压V_z=8V，设v_i=15sinwtV，试绘出v₀

1和v₀₂的波形。

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第7题

电路如图题10.8.6所示，设稳压管D_z的双向限幅值为±6V。(1)试画出该电路的传输特性;(2)画出幅

电路如图题10.8.6所示，设稳压管D_z的双向限幅值为±6V。（1)试画出该电路的传输特性;（2)画出幅

值为6V，正弦信号电压v_i所对应的输出电压波形。

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第8题

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：(1)Q点;(2)输入电阻R_i;(3)电压增益A_es

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：（1)Q点;（2)输入电阻R_i;（3)电压增益A_{es1=v₀₁/v_N和A_es2=v₀₂/v_N;(4)输出电阻R₀₁和R₀₂。}

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第9题

电路如图P3.1（c)、（e)所示,晶体管的β均为200,r_be均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A

电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,r_be均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A_u、R_i和R₀.

P3.1

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第10题

电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T₁型号为M2N6756,T₂型号为M2N6806,试画出电路传输

电路如图LPS4-6（a)所示,已知场效应管T₁型号为M2N6756,T₂型号为M2N6806,试画出电路传输

电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T₁型号为M2N6756,T₂型号为M2N6806,

试画出电路传输特性.若υ₁为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.

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第11题

电压放大电路模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示，设输出开路电压增益A_ro=10。试分别计

电压放大电路模型如图题1.4.1（主教材图1.4.2a)所示，设输出开路电压增益A_ro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益A_ro=v₀/v_n：

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