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什么是光刻,光刻系统的主要指标有哪些?

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第1题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是()和()。

此题为判断题(对,错)。

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第2题
X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点?
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第3题
光刻技术中的常见问题有哪些?
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第4题
光刻工艺对掩模版有哪些质量要求?
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第5题
立体光刻的英文缩写是()。

A.LOM

B.SLS

C.SLA

D.FDM

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第6题
光固化成型(SLA)技术,又被称为立体光刻成型技术。()
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第7题
必须设计支撑结构的快速成型方法是()。

A.立体光刻

B.分层实体制造

C.熔融沉积成型

D.选择性激光烧结

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第8题
特大规模集成电路()对光刻的基本要求包括()、()、()、()、()等五个方面。
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第9题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、去胶等。
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第10题
制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。()
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第11题
设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路,需要()、()、()、()、()、反刻铝电极等六次光刻。
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