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[判断题]

制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。()

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第1题
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()

A.不确定

B.0

C.1

D.可能为0,也可能为1

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第2题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C. 光刻胶

D.去离子水

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第3题
市场越是()的地区,区域间的贸易不但越频繁,而且数额也越大。

A.狭小

B.落后

C.闭塞

D.发达

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第4题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第5题
光掩膜法成型技术的基本原理、主要优点和缺点。

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第6题
单片机存储器的主要功能是存储()和()80C51含()掩膜ROM。
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第7题
关于胶囊剂的叙述,哪一条是错误的()?

A.制备软胶囊的方法有滴制法和压制法

B.吸湿性的药物可以制成胶囊剂

C.胶囊剂的生物利用度一般较片剂高

D.胶囊剂可以起到掩味的作用

E.胶囊剂贮存时温度应不超过30°C

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第8题
全定制集成电路的硅片没有经过加工,其各掩膜层都要按特定电路的要求进行专门设计。()
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第9题
GSM系统组成的移动通信网结构中,定义了多种区域,下面是各种区域间的关系,请问正确的是()。

A.GSM服务区>PLMN区>MSC区>位置区>基站区>小区

B.GSM服务区>PLMN区>MSC区>位置区>小区>基站区

C.GSM服务区>MSC区>PLMN区>位置区>基站区>小区

D.GSM服务区>PLMN区>位置区>MSC区>基站区>小区

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第10题
下面关于OSPF区城表达正确的有()。

A.同区域内的ABR之间必须要有物理连接

B.所有的OSPF区城必须通过域边界路由器与区域0相连,或采用OSPF虚链路

C.所有区域间通信必须通过骨干区域0,因此所有区域路由器必须包含到区域0的路由

D.虚链路可以穿越stub区域

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第11题
先天性梗阻性脑积水不可能在以下情况下发展起来()
A、胚胎生长发育过程停滞

B、正中孔和侧孔缺损

C、中脑导水管内的室管膜层生长过度,阻塞了它的腔隙

D、透明中隔退化停滞或停止,掩盖了室间孔,这种先天性脑积水往往伴随各种各样的发育缺陷,如胼胝体缺如、小脑发育不全、巨脑回等

E、由于脑室和中脑导水管室管膜的感染而发生脑脊液通路被阻塞

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