首页 > 学历类考试

题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

集成电路中的蒸发淀积的铝层相当于是普通电路中的()。

A.电容

B.电阻

C.电抗

D.导线

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“集成电路中的蒸发淀积的铝层相当于是普通电路中的()。”相关的问题

第1题

()是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。

A.刻蚀

B.薄膜制备

C.填充

D.金属化

点击查看答案

第2题

蒸镀的过程为()。

A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜

B.离化—气相质量输运—淀积成膜

C.蒸发—离化—淀积成膜

D.离化—挥发—淀积成膜

点击查看答案

第3题

电阻丝加热蒸发可以淀积难熔金属。()

点击查看答案

第4题

自然土壤剖面发育层次中，（）是肥力最高的发生层次。

A.凋落物层

B.腐殖质层

C.淋溶层

D.淀积层

点击查看答案

第5题

以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？

点击查看答案

第6题

常压工艺主要包含（）

A.氧化层的生长

B.合金

C.氮化硅的淀积

D.高温退火

点击查看答案

第7题

土壤中所有的淀积层都出现在土壤剖面的下部。（)

土壤中所有的淀积层都出现在土壤剖面的下部。()

点击查看答案

第8题

轻量化是汽车面临的共性问题，博瑞GE运用热成型钢材，底盘部件采用铝材料优化结构强度等，累计减重127Kg，相当于是两个成人的体重，保证安全性的同时，节约油耗（）

点击查看答案

第9题

LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。（）

点击查看答案

第10题

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（)。

A.600～750℃

B.900～1050℃

C.1100～1250℃

D.950～1100℃

点击查看答案

第11题

利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是()。

A.电阻加热蒸发

B.电子束蒸发

C.溅射

D.电镀

点击查看答案

长沙图香大数据有限公司版权所有 ©2024

湘ICP备20011576号-2 营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）