题目内容
(请给出正确答案)
[多选题]
关于圆晶片辐射的超声波,下列说法正确的是 。 正确的是()
A.超声场横截面上中心声压最高
B.在远场区,轴线上的声压随距离增加逐渐减小
C.从晶片辐射的超声波从波源开始扩散
D.在近场区,声压分布不均匀,因为存在干涉现象
答案
BD
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A.超声场横截面上中心声压最高
B.在远场区,轴线上的声压随距离增加逐渐减小
C.从晶片辐射的超声波从波源开始扩散
D.在近场区,声压分布不均匀,因为存在干涉现象
BD
A.超声场横截面上中心声压最高
B.在远场区,轴线上的声压随距离增加逐渐减小
C.从晶片辐射的超声波从波源开始扩散
D.在近场区,声压分布不均匀,因为存在干涉现象
A.超声场横截面上中心声压最高
B.当S>3N时,轴线上的声压与传播距离成反比,近似于球面波的规律
C.从晶片辐射的超声波从1.67N开始扩散
D.在近场区,声压分布不均匀,因为存在干涉现象
A.介质的声阻抗愈大,引起的超声波的衰减愈严重
B.聚焦探头辐射的声波,在材质中的衰减小
C.超声波探伤中所指的衰减仅为材料对声波的吸收作用
D.超声平面波不存在材质衰减