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[判断题]

半导体二极管在正向作用下处于导通状态,此时电阻很小,管压降也很小,所以可以看成短路,而在反向作用下二极管处于截止状态,此时反向电阻很大,可以看成开路。()

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第1题
半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。()
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第2题
从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极管处于导通状态。

A.0V

B.死区电压

C.反向击穿电压

D.正向电压

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第3题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第4题
半导体二极管加正向电压导通时,流过的电流与对外呈现的电阻值为()。

A.电流大电阻小

B.电流大电阻大

C.电流小电阻小

D.电流小电阻大

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第5题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V;锗二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第6题
二极管只要加上正向电压(无论多大)就一定导通。()
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第7题
当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。A.击穿;B.饱和;C.门槛。

当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。

A.击穿;

B.饱和;

C.门槛。

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第8题
二极管加上正向电压就导通,加上反向电压就截止。()
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第9题
锗二极管两端所加正向电压小于门坎电压时不会立即导通。()

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第10题
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为()。

A.放大状态

B.微导通状态

C.截止状态

D.饱和状态

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第11题
对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。

A.正向电阻很小

B.无论加多大的反向电压,都不会导通

C.未被反向击穿前,反向电阻很大

D.所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通

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