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[单选题]

从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极管处于导通状态。

A.0V

B.死区电压

C.反向击穿电压

D.正向电压

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更多“从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极…”相关的问题
第1题
二极管的伏安特性曲线是指二极管两端的()与()之间的关系的曲线。
二极管的伏安特性曲线是指二极管两端的()与()之间的关系的曲线。

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第2题
数字万用表测量二极管测量时,将旋钮旋到“电压”档;用红表笔接二极管的正极,黑表笔接负极,这时会显示二极管的正向压降。()
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第3题
当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。A.击穿;B.饱和;C.门槛。

当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。

A.击穿;

B.饱和;

C.门槛。

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第4题
对二极管模型的描述不正确的是()。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型,硅管导通压降0.7V,锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型,正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型,看成是0.5V的电源和一个电阻串联,此时二极管电流大于1mA

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第5题
二极管正向导通时,正向压降较低,硅管0.3-0.5V,锗管0.5-0.7V。()
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第6题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V;锗二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第7题
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第8题
在图5-8的各电路图中,E=4V,ui=8sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形,二极管的正向压
在图5-8的各电路图中,E=4V,ui=8sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形,二极管的正向压

降忽略不计。

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第9题
硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为___伏;其门坎电压Vth约为___伏。

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第10题
在题图E5-2所示电路中,R=1kΩ,E=10V,u1=20sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形。二极管
在题图E5-2所示电路中,R=1kΩ,E=10V,u1=20sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形。二极管

的正向压降忽略不计。

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第11题
二极管的两端电压与电流的关系,称为二极管的伏安特性。()
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