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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第1题
硅二极管的死区电压一般为2V。()
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第2题
硅二极管的死区电压约为()。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第3题
使二极管产生击穿的临界电质称为二极管的()。

A.额定电压

B.反向工作电压

C.最高反向工作电压

D.反向击穿电压

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第4题
单向硅电压开关二极管与一般二极管特性相同。()
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第5题
为了避免电动机在低于额定工作电压较多的电源电压下运行,其控制线路中必须有()。

A.过电压保护

B.失压保护

C.失磁保护

D.漏电保护

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第6题
硅二极管的检测时,若正向电阻在8~10Ω,反向电阻在10kΩ以上,说明二极管()。
硅二极管的检测时,若正向电阻在8~10Ω,反向电阻在10kΩ以上,说明二极管()。

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第7题
GVA系列硅整流装置的输出直流电压达到额定电压的()时,过电压保护动作。

A.105%;

B.110%;

C.115%;

D.120%。

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第8题
在图P9.5所示电路中,已知二极管的导通电压为UD=0.7V,晶体管导通时的|UBE|=0.7V,T2
和T3管发射极静态电位UEQ=0V.试问:

(1)T1、T3和T5管的基极静态电位各为多少?(2)设R2=10kQ,R3=100Q.

1和T3管基极的静态电流可以忽略不计,则T5管集电静电流约

为多少?静态时uI=?(3)若静态时iB1>iB3,则应调节哪个参数可使iB1=iB3?如何调节?(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗?你认为哪个最合适?为什么?

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第9题
高压硅整流变压器的特点是()

A.输出直流高电压

B.输出电流大

C.输出电压低

D.回路阻抗电压比较低

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第10题
当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。()
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第11题
关于熔断器的选择,下列说法正确的是()。

A.熔断器的额定电压应小于线路中的额定电压

B.熔断器的额定电流的选择与熔体的额定电流无关

C.熔断器额定电流与熔断器各部分长期工作时允许的温升无关

D.熔断器熔体的额定电流应小于电缆、导线的安全载流量

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