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[主观题]
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1.现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
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A.Ag为阳极
B.Ag+由银电极向变色层迁移
C.W元素的化合价升高
D.总反应为：WO3+xAg=AgxWO3
A.滑动轴承的温度应不超过95℃
B.滑动轴承的温度应不超过80℃
C.滚动轴承温度应不超过90℃
D.滚动轴承温度应不超过80℃
E.滚动轴承温度应不超过95℃
A.85
B.65
C.45
D.105
