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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

IGBT是以GTR为主导器件，()为驱动器件的达林顿结构的器件。

A.GTO

B.SITH

C.MOSFET

D.SIT

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第1题

IGBT管具有以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合结构。（)

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第2题

下面哪种器件属于电压驱动型（)。

A.scr

B.gtr

C.igbt

D.gto

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第3题

混合型器件IGBT由()组成。

A.GTR，MOSFET

B.GTR，GTO

C.GTO，晶闸管

D.IGBT，晶闸管

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第4题

MOSEET和IGBT为电流驱动型功率器件。（）

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第5题

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（)

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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第6题

采用的开关器件通常有（)和绝缘栅双极性晶体管（IGBT)等。

A.功率晶体管(GTR)

B.普通晶闸管(SCR)

C.可关断晶闸管(GTO)

D.功率场效应管(MOSFET)

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第7题

IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项是它的特性。（)

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

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第8题

按门极驱动信号的种类可分（）、（），IGBT属于电压控制型器件，晶闸管属于电流控制型器件。

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第9题

为减小充电器启动工作的冲击，充电器IGBT的驱动脉冲在启动时也采用（）方式。

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第10题

UPS常用的电力电子器件有：()。

UPS常用的电力电子器件有：（)。

A、GTR;

B、MOSFET;

C、IGBT;

D、GTO;

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第11题

下列半导体器件中属于电压型控制型的器件的是哪一个（)

A.GTO

B.GTR

C.P-MOSFET

D.SR

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