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[主观题]

在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10

在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10

=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=3均相同,沟道长度调制效应忽略不计.

在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=3

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第1题
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第2题
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第5题
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第6题
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第7题
在图P7.14所示电路中,已知,C=1μF.(1)试求出uo与ur的运算关系.(2)设t=0时uo=0,且ur由
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(1)试求出uo与ur的运算关系.

(2)设t=0时uo=0,且ur由零跃变为-1V,试求输出电压由零上升到+6V所需要的时间.

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第8题
图LP2-15所示电路中,已知a=0.98,VBE(on)=0.7V,ICEO≈0.(1)试求IB、IC、VCE;(
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2)若RE=0,RB2开路,指出电路工作模式.

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第9题
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第10题
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图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.

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第11题
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(1)在图中变压器的二次绕组上标明同名端,使反馈信号的相移满足电路振荡的相位条件;

(2)试估算电路的振荡频率f0

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