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[主观题]

在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

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第1题
电路如题图E4-10所示,已知:R1=8Ω,R2=12Ω,L=0.6H,U=220V。S闭合后经过多少时间电流i才
达到15A?

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第2题
在图P7.16所示电路中,已知uI1=4V,uI2=1V.回答下列问题:(1)当开关s闭合时,分别求解A、B

在图P7.16所示电路中,已知uI1=4V,uI2=1V.回答下列问题:

(1)当开关s闭合时,分别求解A、B、C、D和uo的电位;

(2)设t=0时S打开,问经过多长时间uo=0?

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第3题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

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第4题
在图11.4.3所示电路中,已知三端稳压器的型号是CW7815,Rp=510Ω,欲使输出电压的调节范围为20~30V,试确定R1、R2的值。

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第5题
图LT5-10所示电路,已知试在深度负反馈条件下估算

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第6题
图LP2-15所示电路中,已知a=0.98,VBE(on)=0.7V,ICEO≈0.(1)试求IB、IC、VCE;(
图LP2-15所示电路中,已知a=0.98,VBE(on)=0.7V,ICEO≈0.(1)试求IB、IC、VCE;(

2)若RE=0,RB2开路,指出电路工作模式.

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第7题
图10.05所示电路中,已知Rf=4R1,求u0与Mi1和ui2的关系式。

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第8题
已知如题图7-5所示电路中的集成运算放大器满足理想化条件,试证明其输出电压为 (提示:假设运算
已知如题图7-5所示电路中的集成运算放大器满足理想化条件,试证明其输出电压为 (提示:假设运算

已知如题图7-5所示电路中的集成运算放大器满足理想化条件,试证明其输出电压为

(提示:假设运算放大器线性工作,设定一个输入端电压U+=U-=U,利用虚断特点和AR2上下两个结点KCL进行分析。)

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第9题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.

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第10题
已知电路如题图E2-11(a)、(b)所示,从图(a)得知Uab=10V,从图(b)得知a、b两点之间的短路电流I
已知电路如题图E2-11(a)、(b)所示,从图(a)得知Uab=10V,从图(b)得知a、b两点之间的短路电流I

sc=22mA,求有源二端网络N的戴维宁等效电路。

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第11题
试求图题6.3.1所示电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的下限频率fL。已知,BJT的。

试求图题6.3.1所示电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的下限频率fL。已知,BJT的

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