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[主观题]

由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体,称为()。

由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体,称为()。

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第1题
半导体中施主能级的位置位于()中。

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

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第2题
电子亲和势,是指电子从()到真空能级的能级差。

A. 导带底能级

B. 价带顶能级

C. 费米能级

D. 施主能级

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第3题
图4-5是氢原子能级图的一部分,大量原子被激发到n=3的能级上.由于电子的跃迁氢原子辐射的光谱有N

图4-5是氢原子能级图的一部分,大量原子被激发到n=3的能级上.由于电子的跃迁氢原子辐射的光谱有N条,光子的最大能量为E,由图可知()A.N=2,E=12.1eV B.N=3,E=10.2 eV C.N=2,E=10.2 eV D.N=3,E=12.1 eV

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第4题
本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第5题
β-胡萝卜素(β-carotene)的结构式如下:(1)若将它的π电子近似地按一维箱中粒子处理,试估算势箱的长

β-胡萝卜素(β-carotene)的结构式如下:

(1)若将它的π电子近似地按一维箱中粒子处理,试估算势箱的长度。

(2)写出与其HOMO和LUMO对应的能级表达式。

(3)计算将电子从HOMO激发到LUMO所需的能量及相应的光的波长。

(4)β-胡萝卜素显红色,是否可用上述一维势箱模型说明?若不能用此模型解释,可能的因素是什么?

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第6题
会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于()。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第7题
计算含有施主杂质浓度为ND=9x1015cm-3,及受主杂质浓度为1. 1x1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第8题
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第9题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第10题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第11题
室内小功率直放站的施主天线端输入信号不能太强,原因是()。
室内小功率直放站的施主天线端输入信号不能太强,原因是()。

A.防止前级低噪放饱和

B.防止系统自激

C.防止输出过大

D.防止干扰信源基站

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