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[主观题]

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第1题
计算含有施主杂质浓度为ND=9x1015cm-3,及受主杂质浓度为1. 1x1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第2题
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第3题
晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

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第4题
常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第5题
当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时,则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第6题
Y型分子筛属于立方晶系,空间群为,其晶跑参数为a=2460pm,晶胞组成为28Na2O•28Al2O3•1

Y型分子筛属于立方晶系,空间群为,其晶跑参数为a=2460pm,晶胞组成为28Na2O•28Al2O3•136SiO2•xH2O。

(1)说明该分子筛晶体所属的点群和空间点阵型式;

(2)说明该分子筛晶体的宏观对称元素和特征对称元素;

(3)计算硅铝比;

(4)已知该分子筛的密度为1.95gcm-1,求晶胞中结晶水的数目。

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第7题
已知点P(m,o),A(1,3),B(2,1),点(x,y)在△PAB上,则x-y的最小值与最大值分别为-2和1()(1)m≤1(2)m≥-2

已知点P(m,o),A(1,3),B(2,1),点(x,y)在△PAB上,则x-y的最小值与最大值分别为-2和1()

(1)m≤1

(2)m≥-2

A.条件(1)充分,但条件(2)不充分。

B.条件(2)充分,但条件(1)不充分。

C.条件(1)和条件(2)单独都不充分,但条件(1)和条件(2)联合起来充分。

D.条件(1)充分,条件(2)也充分。

E.条件(1)和条件(2)单独都不充分,条件(1)和条件(2)联合起来也不充分。

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第8题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第9题
设总体X~N(μ1,σ2),Y~N(μ2,σ2),X1,X2,...,Xn与Y1,Y2

设总体X~N(μ1,σ2),Y~N(μ2,σ2),X1,X2,...,Xn与Y1,Y2,...,Yn分别为取自总体X与Y的两个相互独立的样本。若检验假设H0:μ12;H1:μ1≠μ2,则选取的检验统计量当σ2已知时为(),当σ2未知时为()。

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第10题
图10-16(a)所示铰链四杆机构中,已知构件1、2、3的长度为:l1=100mm,l2=300mm,l3=200

图10-16(a)所示铰链四杆机构中,已知构件1、2、3的长度为:l1=100mm,l2=300mm,l3=200mm;质量为:m1=1kg,m2=3kg、m3=2kg;其质心S1,S2,S3,的位置尺寸分别为:h1=75mm,h2=150mm,h3=120mm.今要求该机构达到惯性力完全平衡,试设计增加平衡质量的方案,并计算它们质径积的大小和方位.

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第11题
如图13-2-1所示,一平带传动,已知两带轮直径分别为150mm和40mm,中心距为1000mm,小轮主动、转速为
1460r/min。试求:(1)小带轮包角;(2)带的几何长度;(3)不考虑带传动的弹性滑动时大带轮的转速;(4)滑动率ε=0.015时大带轮的实际转速。

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