A.φT(ω)=2nл,T(jω)=1
B.φT(ω)=0,T(jω)=1
C.φT(ω)=2nл,T(jω)>1
D.φT(ω)=0,T(jω)=0
A.元器件通电发热,引起相关LC参数变化,造成谐振频率漂移
B. 半导体晶体管处于老化过程
C. 随着射频能量泄露,电路的输出功率下降
D. 接收机的声音能量反馈到电路板引起
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。