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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

PN结具有（)的特性。

A.不导电

B.单向导电

C.超导

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第1题

PN结的一个重要特征是单向导电。（)

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第2题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第3题

在PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（)。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子，又有少数载流子

D.不一定

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第4题

半导体按导电类型不同，分成P型半导体和N型半导体。晶体二极管实际上就是一个PN结。（)

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第5题

PN结的最主要特性是单向导电性。（)

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第6题

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第7题

晶体三极管内部含有（)个PN结，外部具有（)个电极，分别是（)、（)、（)。

晶体三极管内部含有()个PN结，外部具有()个电极，分别是()、()、()。

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第8题

对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

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第9题

半导体材料具有以下特性（)。（1)在常温下具有明显的导电性能（2)当温度升高时，电阻将降低（3)不同部位的导电性能极不均匀

A.(1)(2)

B.(1)(3)

C.(2)(3)

D.(1)(2)(3)

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第10题

锗材料PN结的结压降为（)。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第11题

硅材料PN结的结压降为（)V。

A.0.3

B.1

C.0.7

D.2

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