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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子,又有少数载流子

D.不一定

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第1题
对异质结I-V特性的分析,以下说法正确的是?()

A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

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第2题
稳压管也是一种二极管,与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的()区。

A.正向击穿

B.截止

C.放大

D.反向击穿

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第3题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第4题
PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第5题
由于蓄电池连接松动或断开,当切断负载时,在发电机两端产生不同程度的正向瞬变过电压的过程称为()。

A.抛负载瞬变

B.磁场衰减瞬变

C.点火系瞬变

D.切换电感性负载瞬变

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第6题
当加()时,PN结只有很小的反向电流。
当加()时,PN结只有很小的反向电流。

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第7题
晶体三极管基极电流保持不变,当()时,三极管工作在饱和区。

A.发射结加正向电压,集电结加反向电压;

B.发射结加正向电压,集电结加正向电压;

C.发射结加反向电压,集电结加反向电压;

D.发射结加反向电压,集电结加正向电压。

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第8题
下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:()。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第9题
结型场效应管工作时,栅一源电压必须使PN结正偏。()
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第10题
当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。A.击穿;B.饱和;C.门槛。

当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。

A.击穿;

B.饱和;

C.门槛。

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第11题
PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

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