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[判断题]

上芯后兰膜的检查目的是为了预警(崩单晶翘片沾污、漏管芯。()

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第1题
兰膜上背崩可能由以下哪些因素引起()
兰膜上背崩可能由以下哪些因素引起()

A、划片切割参数异常

B、上芯粘片参数异常,传送过程不当

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第2题
上芯后兰膜检查频次为()。

A.1次/更换晶圆

B.1次/更换产品

C.1次/更换客户

D.1次/更换封装形式

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第3题
上芯高倍镜检的项目有()

A.产品有无压划伤

B.崩单晶

C.顶针印迹

D.旧吸嘴有无粘片胶或外来物沾污状况

E.粘片胶厚度

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第4题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第5题
上芯加工完的兰膜由()确认签字。

A.操作员

B.物料员

C.生产组长

D.领班

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第6题
造成崩单晶的潜在原因有()。

A.三点一线偏移

B.粘接头故障

C.胶量过大

D.来料异常

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第7题
钻头初到孔底应采用小压、慢转、大泵量,钻进15~20 min,待钻头磨合后再给足压力,以防合金崩刃或岩芯堵塞。此题为判断题(对,错)。
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第8题
加碱法是用少量火碱溶解于清水中,加入少量的石灰配成火碱水,涂刷旧膜层,待旧膜()后进行清除。

A.软化

B.腐蚀

C.起翘

D.开裂

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第9题
荣耀20贴膜上面有一个缺口,贴膜上的缺口是为了防止传感器被遮挡导致测量不准做的避让设计?()
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第10题
DAF膜上芯产品,粘接部位垫块温度应控制在()。

A.110~130℃

B.100~150℃

C.100~110℃

D.130~150℃

E.175℃

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第11题
:任何目标都必须是实际的、可衡量的,不能只是停留在口号或空话上,制定目标的目的是为了进步。不去衡量,你就无法知道自己是否取得了进步,所以你必须把抽象的,无法实施的、不可衡量的大目标简化成为实际的、可衡量的小目标。这段话的核心意思是: ()。

A.制定目标后必须付诸实施

B.没有小目标就没有大目标

C.小目标才有实际意义

D.目标要能衡量、可实施

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