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第4题
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
第6题
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结A.一个B.两个
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结
A.一个
B.两个
C.三个
D.四个
