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[主观题]

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大（)

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大()

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第1题

场效应管是通过改变来改变漏极电流的（）。

A.漏源极电压

B.栅极电流

C.栅源极电压

D.源极电流

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第2题

()是半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第3题

（）为半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第4题

场效应管是利用（）极和（）极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

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第5题

场效应管利用栅源之间电压的（）效应来控制漏极电流，是一种（）控制器件。场效应管分为（）型和（）型两大类。

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第6题

某场效应管，在漏、源电压保持不变的情况下，柵源电压UGs变化4V，相应的漏极电流变化16mA，该管的跨导是（）。

A.4mA/V

B.0.25mA/V

C.0.25V/mA

D.4A/V

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第7题

场效应管的主要参数有()等。

场效应管的主要参数有（)等。

A . 夹断电压

B . 开启电压

C . 饱和漏极电流

D . 低频跨导

E . 最大耗散功率

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第8题

工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，Ic从1mA变为2mA，其值约为（）。

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第9题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：（1)它是N沟道还是P沟道的FET？（2)它的夹断电压u_P

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：

(1)它是N沟道还是P沟道的FET？

(2)它的夹断电压u_P和饱和漏极电流I_DSS各是多少？

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第10题

工作在放大区的某三极管，如果当IB从增大到时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为（）。

A.83

B.91

C.100

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第11题

工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2mA时，那么它的β约为100（）

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