在图LP2-17所示放大电路中,已知VBE(on)1=0.7 V,VBE(on)2=-0.25 V,β1=β2=100,试求T1和T2管的集电
在图LP2-17所示放大电路中,已知VBE(on)1=0.7 V,VBE(on)2=-0.25 V,β1=β2=100,试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
在图LP2-17所示放大电路中,已知VBE(on)1=0.7 V,VBE(on)2=-0.25 V,β1=β2=100,试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
在图4-55所示差分放大电路中,已知RC=50kΩ,R1=10kΩ,R2=3.5kΩ,VCC=10V,VEE=-10V,β=100,试求最大输入共模电压范围Vic。设T1、T2、T3管的饱和压降VCE(sat)均为0.3V。
试求:(1)调制信号电压振幅VΩm;(2)输出调频电压振幅Vom;(3)最大频偏Δfm;(4)若R1改为470Ω,电路功能有否变化?
在图题2-5所示的放大电路中,Rb=120KΩ,Rc=1.5KΩ,Ucc=16V,β=40,ICEO=0。
(1)求静态工作点的IBQ、ICQ、UCEQ;
(2)若β=80,IBQ、ICQ、UCEQ如何变化?
图P9.16
(1)为了使负载上得到的最大不失真输出电压幅值最大,基准电压UREF应为多少伏?静态时uo1和uo2各为多少伏?
(2)若Ui足够大,则电路的最大输出功率Pom和效率ƞ各为多少?
(3)若电路的电压放大倍数为20,则为了使负载获得最大输出功率,输入电压的有效值约为多少?
,R5=2kΩ。试求:(1)各支路电流,I1、I2、I3、I4、I5;(2)A点和B点的电位VA和VB。
在图3-6所示电路中,已知P沟道增强型MOSFET的,VGS(th)=-1V,并忽略沟道长度调制效应。
在题74图(c)所示电路中,设RE1=75Ω,RB2=5Ω,RC=4Ω,RE=1Ω,三极管的β=50,UBE=0.7V,UCC=12V,求
(1)电路的静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
在图14.14所示的两个电路中,已知ui=30sinωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压uo的波形。