题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
1.8.4在图1.27(a)所示电路中,R2=R3。当IS=0时,I1=2A,I2=I3=4A。求IS=10A时的I1、I2和I3。
1.8.4在图1.27(a)所示电路中,R2=R3。当IS=0时,I1=2A,I2=I3=4A。求IS=10A时的I1、I2和I3。
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1.8.4在图1.27(a)所示电路中,R2=R3。当IS=0时,I1=2A,I2=I3=4A。求IS=10A时的I1、I2和I3。
在图3-6所示电路中,已知P沟道增强型MOSFET的,VGS(th)=-1V,并忽略沟道长度调制效应。
在图LP4-35所示电路中,RL→∞,若RC1=5.1kΩ,RC2=RC1+ΔRC,其中ΔRC=0.05RC1试求双端输出时的共模抑制比KCMR.
在图14.14所示的两个电路中,已知ui=30sinωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压uo的波形。
在题74图(c)所示电路中,设RE1=75Ω,RB2=5Ω,RC=4Ω,RE=1Ω,三极管的β=50,UBE=0.7V,UCC=12V,求
(1)电路的静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
在图2.8所示电路中,开关S闭合前电路已处于稳态,C中无储能,试确定S闭合后电压uC,uL和电流i1,iC,iL的初始值和稳态值。