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[填空题]

本征半导体和杂质半导体中都存在()现象,产生自由电子,在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流()。

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第1题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质元素。
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第2题
本征半导体是(),导电能力弱。

A.纯净半导体

B.杂质半导体

C.普通半导体

D.掺杂半导体

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第3题
带电子多的杂质半导体称为()。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征型半导体

D.电子型半导体

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第4题
N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,砷等。()
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第5题
随着温度的增高,本征半导体内会产生大量的()。

A.电子空穴对

B.自由电子

C.空穴

D.杂质

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第6题
在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第7题
随着温度的升高,非简并n型半导体电导率的变化过程为?()

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)

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第8题
元素半导体可分为本征半导体和掺杂半导体,后者又分为n£­型半导体和p£­型半导体。()
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第9题
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第10题
在本征半导体中掺入微量五价元素形成()型半导体,掺入微量三价元素形成()型半导体。

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第11题
N型半导体的形成是在本征半导体中掺入()。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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