A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.加固过程中地表出现裂缝
B.前40天沉降速度达到后20天的5倍
C.真空度迟迟不能接近预期值,或出现反复
D.抽真空结束后,场地形成四周高,中间低的盆状地形
A.640
B.620
C.180
D.0