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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

N型半导体中的多数载流子是()。

A.自由电子

B.空穴

C.束缚电子

D.晶格上的离子

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第1题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第2题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第3题
p型半导体的导电载流子只有空穴。()
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第4题
对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:()。

A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动

B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动

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第5题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第6题
在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。此题为判断题(对,错)。
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第7题
载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第8题
有关半导体下列说法正确的是()。

A.半导体就是一半导电,一半不导电

B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体

C.半导体中有两种载流子,既有自由电子载流子又有空穴载流子

D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

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第9题
半导体中有()和空穴两种载流子。

A.原子

B.离子

C.电子

D.中子

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第10题
下面各项描述正确的是()。

A.甲流是一种急性呼吸道传染病

B.该病有自限性,病情多数较轻,流行时间多见于冬春季

C.流感病毒具有易变性和不可预知性

D.甲型流感病毒变异主要是血凝素(H)和神经氨酸酶(N)的变异

E.以上均正确

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第11题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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