A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征