题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
查看答案
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水
A.托盘薄膜缠绕机机是否润滑
B.托盘薄膜缠绕机机膜厚度
C.托盘薄膜缠绕机机膜架上的涨紧压簧是否过松
D.托盘薄膜缠绕机机送膜速度是否小于货物的旋转线速度
A.饱和状态
B.超固结状态
C.正常固结状态
D.欠固结状态