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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

场效应管的漏极用英文字母()表示.

A.S;

B.G;

C.D;

D.V

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更多“场效应管的漏极用英文字母（)表示.A、S;B、G;C、D;D…”相关的问题

第1题

场效应管的电极有()。

A.基极b，发射极c，集电极e

B.源极s，栅极g，漏极d

C.阴极、阳极

D.阴极、阳极、门极

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第2题

电力场效应管(MOSFET)的三个电极为()。

A.漏极

B.栅极

C.源极

D.基极

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第3题

MOS场效应管结构包括（)。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第4题

场效应管是利用（）极和（）极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

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第5题

()是半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第6题

场效应管是通过改变来改变漏极电流的（）。

A.漏源极电压

B.栅极电流

C.栅源极电压

D.源极电流

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第7题

场效应管的直流参数主要有饱和漏极电流、直流输入电阻、夹断电压和开启电压。()

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第8题

（）为半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第9题

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大（)

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大()

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第10题

场效应管利用栅源之间电压的（）效应来控制漏极电流，是一种（）控制器件。场效应管分为（）型和（）型两大类。

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