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[判断题]

二极管PN结导通后的压降基本不变,但不是不变,PN结两端的压降随温度升高而略有下降,温度愈高其下降的量愈多()

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第1题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第2题
二极管导通后,硅管管压降约为()伏,锗管压降为()伏。
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第3题

在常温下,硅二极管的门槛电压约为()V,导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管的门槛电压约为()V,导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

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第4题

在常温下,硅二极管的开启电压约为()V,导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

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第5题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为()V,导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
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第6题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V;锗二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第7题
硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为___伏;其门坎电压Vth约为___伏。

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第8题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
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第9题

以下图中电源E=5V,Ui=10sinωt,二极管导通压降可忽略不计,试画出电压Uo的波形图。

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第10题
对二极管模型的描述不正确的是()。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型,硅管导通压降0.7V,锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型,正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型,看成是0.5V的电源和一个电阻串联,此时二极管电流大于1mA

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第11题
从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极管处于导通状态。

A.0V

B.死区电压

C.反向击穿电压

D.正向电压

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