A.金属-氧化物-半导体接触中,半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中,氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中,半导体中靠近金属的区域
A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理
A.人工裁弯
B.自 然裁弯
C.自 然溃决
D.分汊夺流