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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

锗pn结的正向导通电压大约为（)V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第1题

常温下，锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第2题

锗材料PN结的结压降为（)。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第3题

硅材料PN结的结压降为（)V。

A.0.3

B.1

C.0.7

D.2

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第4题

当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时，则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第5题

PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（)，势垒加高。

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

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第6题

若测得某稳压二极管的反向电流小于稳压管的最小工作电流，则该稳压管处于（）。

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.放大区

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第7题

对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

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第8题

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第9题

晶体三极管内部含有（)个PN结，外部具有（)个电极，分别是（)、（)、（)。

晶体三极管内部含有()个PN结，外部具有()个电极，分别是()、()、()。

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第10题

PN结击穿后就损坏了。（)

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第11题

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。（)

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