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[多选题]

关于Galaxy VS的说法,正确的是()

A.Galaxy VS模块可热插拔

B.Galaxy VS可以兼容锂电池

C.Galaxy VS可以共用电池组

D.Galaxy VS可以内置电池

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BCD

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第1题
关于使用标号法求解网络系统最大流,以下说法错误的是()

A.每个标号点的标号包含两部分,第一个标号表示标号是从哪一点得到的,第二个标号用来确定增广链上的调整量

B.如果收点vs被标上号,表示得到一条增广链

C.调整时前向弧流量减去调整量

D.如果收点vs未被标上号,则可得到最大流

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第2题
以下关于ARTEMIS研究设计中的分层因素叙述正确的是?()

A.性别(男VS女)

B.疾病分期(IIIb期VSIV期VS复发)

C.EGFR突变类型(exon19delvs、exon21L858R)

D.吸烟史(从不吸烟VS曾经/正在吸烟)

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第3题
对于XR11001VS喷嘴性能参数,说法错误的是()

A.属于扇形喷嘴

B.50°喷洒角度

C.最后的01是指流量

D.VS是指不锈钢材质

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第4题
关于频谱多普勒测量的应用,下列错误的是()。

A.测量Vs

B.测量Vd

C.测量VTI

D.测量Vm

E.测量脏器的大小

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第5题
关于TITAN研究的设计,以下描述正确的是()。

A.TITAN研究一共纳入1052例mHSPC患者,1:1随机分组到APA+ADT组和单纯ADT治疗+ADT组

B.本研究的主要研究终点是rPFS和OS

C.本研究根据初诊时Gleason评分和患者地区(北美、欧洲vs其他所有国际)等因素进行分层

D.此项研究在多个国家和地区的260个中心进行,包括中国大陆中心

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第6题
Galaxy Z Flip 5G 描述以下哪些是正确的()

A.迷雾金配色

B.冷山灰配色

C.背面第六代大猩猩玻璃

D.摄像头采用第5代大猩猩玻璃

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第7题
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

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第8题
根据《建筑抗震设计规范》4.1.3条第3款,以下论述中正确的是()。

A.对层数不超过10层,高度不超过24m的多层建筑,当无实测剪切波速时,可根据岩土名称和性状,利用经验估算各土层的剪切波速

B.fak≤150kPa的黏性土属于中软土,其剪切波速范围为250m/s≥vs>150m/s

C.黄土属于中硬土,其剪切波速范围为500m/s≥vs>250m/s

D.淤泥质土属于软弱土,其剪切波速范围为vs≤150m/s

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第9题
在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室温下相应

在图 LP6-12所示的反对数变换器中,试证:。已知10kΩ,试问:当vS由ImV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少?设各集成运放是理想的,各品体管特性相同。

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第10题
互联网上第一个即可搜索又可浏览的分类目录是()。

A.Yahoo

B.Dialog

C.Galaxy

D.Dmoz

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第11题
图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中,vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压,,Cd⌘
图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中,vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压,,Cd⌘

图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中,vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压,,Cd和Rd构成微分网络将vs(t)变换为双向微分脉冲序列,而后利用晶体二极管D的单向导电性,将双向脉冲变换为单向脉冲,去触发由T1和T2构成的单稳态电路,产生调频方波,最后通过低通滤波器RφCφ。取出解调电压,试画出的波形,并求出解调电压vo(t)的表达式。

提示:单稳态电路产生的调频方波,其峰值近似为[R1/(R1+Rc)]Vcc,宽度近似为0.69RBC1

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