首页 > 其他

题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中，vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压，,C_d⌘

图NP5-16（a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中，vs（t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压，,C_{d⌘图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中，vs(t)是输入调频信号经限幅后的调频脉冲电压，,C_d和R_d构成微分网络将v_s(t)变换为双向微分脉冲序列，而后利用晶体二极管D的单向导电性，将双向脉冲变换为单向脉冲，去触发由T₁和T₂构成的单稳态电路，产生调频方波，最后通过低通滤波器RφCφ。取出解调电压，试画出的波形，并求出解调电压v_o(t)的表达式。
提示:单稳态电路产生的调频方波，其峰值近似为[R₁/(R₁+R_c)]V_cc，宽度近似为0.69R_BC₁。}

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“图NP5-16(a)所示脉冲计数式鉴频电路。图中，vs(t)…”相关的问题

第1题

求图3-21所示锯齿脉冲与单周正弦脉冲的傅里叶变换.

点击查看答案

第2题

求图3-40所示信号的频谱(包络为三角脉冲,载波为对称方波).并说明与图3-38信号频谱的区别.

求图3-40所示信号的频谱（包络为三角脉冲,载波为对称方波).并说明与图3-38信号频谱的区别.

点击查看答案

第3题

已知单个梯形脉冲和单个余弦脉冲的傅里叶变换(见教材附录三),求图3-41所示周期梯形信号和周期

已知单个梯形脉冲和单个余弦脉冲的傅里叶变换（见教材附录三),求图3-41所示周期梯形信号和周期

全波余弦信号的傅里叶级数和傅里叶变换.并示意画出它们的频谱图.

点击查看答案

第4题

求图3-11所示周期余弦切顶脉冲波的傅里叶级数,并求直流分量I₀以及基波和k次谐波的幅度(I

求图3-11所示周期余弦切顶脉冲波的傅里叶级数,并求直流分量I₀以及基波和k次谐波的幅度（I_{1和I_k).
[为i(t)的重复角频率]}

点击查看答案

第5题

图10.5(a)所示为单稳态触发器组成的定时电路,u_A,u_B信号如图10.5(b)所示,单稳态触发器

图10.5（a)所示为单稳态触发器组成的定时电路,u_A,u_B信号如图10.5（b)所示,单稳态触发器

为上升沿触发式,哲稳态持续时间为400us,u_B为频率10kHz的脉冲信号,根据给定条件分别画出u_C及输出u_O的波形.

点击查看答案

第6题

图P7.14是用16x4位ROM和问步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路,ROM的数据表如表P7

.14所示.试画出在CLK信号连续作用下D₃、D₂、D1、和D₀输出的电压波形,并说明它们与CLK信号频率之比.

点击查看答案

第7题

试用PSPICE库文件调用运放μA741,构成图NPS3-4(a)所示内稳幅文氏电桥振荡电路。若设电源电压为±5

试用PSPICE库文件调用运放μA741,构成图NPS3-4（a)所示内稳幅文氏电桥振荡电路。若设电源电压为±5

V，R=10kΩ，C=1μF，R₁=5kΩ，R₂=10kΩ。试分析电路，记录输出电压波形，测试振荡频率。(提示:为给振荡电路一个起始冲激信号，电源电压Vcc采用起始电压V₁=5V，T_D、T_R、T_F均为0，脉冲宽度P_W=1ms，高度V₂=10V的脉冲源。)

点击查看答案

第8题

求图2-2-1所示各f（t)的拉普拉斯变换式。

求图2-2-1所示各f(t)的拉普拉斯变换式。

点击查看答案

第9题

图10.74所示门电路的与非逻辑式为F=().

图10.74所示门电路的与非逻辑式为F=（).

点击查看答案

第10题

某系统为了提高采样速率,采用4片模数（全并行A/D)转换器构成并行交替式数据采集系统,原理框图如

某系统为了提高采样速率,采用4片模数(全并行A/D)转换器构成并行交替式数据采集系统,原理框图如图7.20所示.系统信号源为30MHz的方波,时钟信号CLK为10MHz(要求占空比为1:1).并行交替式数据采集系统利用4片ADC轮流对同一个模拟输入信号进行采样,分别存人各路对应的64单元的存储器中,其对应各路AD所需的采样信号波形如图7.21所示,脉冲分配电路可用计数器+译码器构成.试根据系统设计参数要求,完成各部分电路的设计,器件任选.

(1)分频电路;

(2)脉冲分配电路;

(3)地址发生器电路设计;

(4)说明每个地址发生器所使用的时钟信号分别是什么？

点击查看答案

第11题

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V_GS=2.5V、3V时的V₀值,并进行分析.

点击查看答案

长沙图香大数据有限公司版权所有 ©2024

湘ICP备20011576号-2 营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）