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为了实现串联结构,有必要在部开发禁带宽度更广的()。

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第1题
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。

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第2题
为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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第3题
该合作项目对中俄两国的影响有 ()

A.带动俄罗斯能源产业和边疆地区发展

B.利于资源与市场的对接,实现中俄共赢

C.丰富我国清洁能源供应,优化能源结构

D.带动了我国极地开发技术的提升

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第4题
后浇带的定义是什么()
A.为适应环境温度变化、混凝土收缩、结构不均匀沉降等因素影响,在梁、板(包括基础底板)、墙等结构中预留的具有一定宽度且经过一定时间后再浇筑的混凝土带B.为了施工方便,在梁、板(包括基础底板)、墙等结构中预留的具有一定宽度且经过一定时间后再浇筑的混凝土带C.为了好看D.以上都不是
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第5题
试画出光吸收层的禁带宽度分布图
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第6题
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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第7题
某一半导体材料的禁带宽度为3.1电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第8题
某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第9题
干气密封有下面四种结构形式:单端面密封、并联密封、中间带迷宫的串联密封、双端面密封()
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第10题
指责部属的正确方法()。

A.要在冷静的时候

B.在单独的情形下

C.适可而止

D.率直

E.斥责中带激励

F.让其有闻过必改的意愿

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