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[单选题]

n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是()。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系

D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大

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第1题
对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。

A.空穴,由源端到漏端

B.空穴,由漏端到源端

C.电子,由源端到漏端

D.电子,由漏端到源端

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第2题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第3题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。

A.漏端,漏端

B.漏端,源端

C.源端,漏端

D.源端,源端

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第4题
图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T1、T2工作在变阻区,试证
明:

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第5题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第6题
在运行中的高频通道上进行工作时,应确认耦合电容器低压侧接地措施绝对可*后,才能进行工作。此题为判断题(对,错)。
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第7题
在装设接地线时,先将一端与被停电的导体相连;再将接地线接地端接地。()
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第8题
下列神经源性肿瘤的描述哪项是不正确的:()。

A.好发于后纵隔脊柱旁沟

B.绝大多数是良性

C.肿瘤T1加权呈低信号,T2加权呈高信号

D.MRI可显示肿瘤经椎间孔突入椎管,压迫脊髓

E.肿瘤不发生囊变坏死

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第9题
在天窗停电作业时,由现场防护员(远端或近端防护员)不能兼任验电接地监护人。()
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第10题
在现场工作过程中,如遇到异常(如直流系统接地等或断路器跳闸时),若与本身工作无关,可继续工作

在现场工作过程中,如遇到异常(如直流系统接地等或断路器跳闸时),若与本身工作无关,可继续工作,但应及时与运行人员取得联系。()

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第11题
在带电的PT二次回路上工作,应采取()安全措施。

A.严格防止短路或接地

B.使用绝缘工具-戴手

C.必要时工作前停用有关保护装置

D.接临时负载,必须装有专用的刀闸和可熔保险器

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