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[判断题]

在本征半导体中掺入少量+3价元素即得P型半导体。（)

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第1题

在本征半导体中掺入（)构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第2题

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

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第3题

P型半导体是在纯净的半导体中掺入（)价杂质形成的

A.3

B.5

C.4

D.1

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第4题

在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第5题

在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（)

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

D.导体

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第6题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第7题

在N型半导体中掺入微量的（)等元素，在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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第8题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第9题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第10题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第11题

P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（)。

A.电子数多于空穴数

B.电子数少于空穴数

C.电子数等于空穴数

D.电子数与空穴数之比为3:2

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