题目内容
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[单选题]
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)
A.本征状态
B.平坦能带状态
C.多子积累状态
D.深耗尽状态
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A.瞬间变成无穷大,其余时间为零
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C.瞬间变成零,其余时间为无穷大
求解弹簧振子在无阻尼下的强迫振动方程
，其中m，k，p和w都是正的常数，并对外加频率w≠w0和w=w0两种不同的情况，说明解的物理意义，这里
是弹簧振子的固有频率。
