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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（)

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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第1题

门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管，简称（)。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管，或绝缘栅晶体管，它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。

A.TR

B.MOS

C.IGBT

D.DR

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第2题

采用的开关器件通常有（)和绝缘栅双极性晶体管（IGBT)等。

A.功率晶体管(GTR)

B.普通晶闸管(SCR)

C.可关断晶闸管(GTO)

D.功率场效应管(MOSFET)

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第3题

IGBT属于一种具有MOSFET（)中、大功率器件。

A.高速性能的

B.高效率的

C.双极的

D.低电阻性能的

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第4题

IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项是它的特性。（)

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

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第5题

电力电子器件是开关方式工作为主，对电能进行控制和转换的电力器件。电力电子器件可分为三类：（)。

A.双极型

B.单极型

C.混合形

D.三极型

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第6题

双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（)

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第7题

双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（)

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第8题

对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（)

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第9题

【单选题】单极型半导体器件是（）。

A.二极管

B.双极型三极管

C.场效应管

D.稳压管

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第10题

双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（)

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第11题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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