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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

IGBT是MOSFET和GTR复合的产物,具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性,下列哪项是它的特性。()

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

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第1题
IGBT属于一种具有MOSFET()中、大功率器件。

A.高速性能的

B.高效率的

C.双极的

D.低电阻性能的

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第2题
采用GTR或GTO构成的变频器可以省掉专门的换流电路。()
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第3题
以下哪种元件组成的整流器,()是可控的。

A.二极管

B.三极管

C.IGBT

D.发光二极管

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第4题
MOSFET产品粘片胶出胶量要求为()
MOSFET产品粘片胶出胶量要求为()

A、1

B、保证三边出胶

C、0.75

D、芯片底部有粘片胶即可

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第5题
关于GTR术后注意事项叙述有误的是()

A.术后如果因牙根暴露,发生牙本质过敏者,可复诊进行脱敏治疗

B.术后24小时内进半流质食物或软食,用非手术侧咀嚼

C.可能会出现的疼痛、肿胀、牙齿酸软、暂时性松动度增加等不适和并发症,但这些症状慢慢会减轻消失

D.72小时内暂时不要刷牙以及漱口液含漱

E.24小时后非手术区可刷牙,但要注意防止术区牙周塞治剂脱落

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第6题
MOSFET的导通电阻非常小,所以导通损耗也非常小。()

MOSFET的导通电阻非常小,所以导通损耗也非常小。()

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第7题
MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关:()。

A.氧化层电容

B.沟道长度

C.载流子迁移率

D.电源电压

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第8题
n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是()。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系

D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大

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第9题
一号线每个PIM1模块由()个IGBT。

A.2

B.4

C.6

D.8

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第10题
一个三相逆变器拥有()个IGBT用于将一个直流电压转换成交流电压。

A.2

B.4

C.6

D.8

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第11题
下列函数中能构成复合函数的是().

下列函数中能构成复合函数的是().

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