题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

计算机技术中，DRAM存储器的中文含义是（)。

A.静态随机存储器

B.动态随机存储器

C.静态只读存储器

D.动态只读存储器

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第1题

下面有关存储器的叙述中,错误的是（)。

A.存储器都采用随机存取方式进行读写

B.ROM芯片属于半导体随机存储器芯片

C.SRAM是半导体静态随机访问存储器,可用作cache

D.DRAM是半导体动态随机访问存储器,可用作主存

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第2题

计算机技术中，断电会使原存信息丢失的存储器是（)。

A.半导体RAM

B.硬盘

C.ROM

D.软盘

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第3题

下列存储器的读写速度最快的是（)

A.软盘

B.ROM

C.DRAM

D.Cache

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第4题

具有（行地址选通)和（列地址选通)信号引脚的半导体存储器芯片是（)。

A.SRAM

B.DRAM

C.EOROM

D.FlashMemory

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第5题

根据制造的原理不同，RAM可分为（）。

A.静态随机存储器SRAM

B.高速缓冲存储器

C.随机读写存储器

D.动态随机存储器DRAM

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第6题

在微机中,I/O的中文意思是（)。

A.读写存储器

B.操作系统

C.输入输出

D.接口电路

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第7题

已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问：（1）每个内存条内共有多少DRAM芯片？（2）主存共需多少DRAM芯片？

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第8题

CMO S随机存储器的主要特点是（）

A.功耗低(每位约10毫微瓦)

B.可随机读取或写入数据

C.断电后用外加电池来保持存储器的内容不丢失

D.工作速度比动态随机存储器(Dram)高

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第9题

64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写周期为0.5μs，则对集中式刷新而

言，其“死区”时间是多少？如果是一个256K×1位的DRAM芯片，希望能与上述64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延时，则它的存储阵列应如何安排？

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第10题

在FPGA EDA开发工具中， IP的中文含义是（)

A.网络供应商

B.知识产权核

C.系统编程

D.网络地址

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第11题

在通信网络中，Hub是数据交汇的枢纽之一，它的中文含义是（)。

A.集线器

B.交换机

C.路由器

D.网卡

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