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更多“ 自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是()型半导体”相关的问题
第4题
有关半导体下列说法正确的是()。
A.半导体就是一半导电，一半不导电
B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体
C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子
D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
第5题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子
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B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
第9题
在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-⊕
在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5x1015cm-3，受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？
第10题
异质结的超注入现象是指？（)
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
