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更多“在相同温度变化的范围哪，Pt100比，Pt10热电阻变化范围…”相关的问题
第2题
当仪器承受的温度不变时，由于变形引起的电阻比变化将使电阻变化，二者变化的趋势是（）。A.相同；B.相
当仪器承受的温度不变时，由于变形引起的电阻比变化将使电阻变化，二者变化的趋势是（）。
A.相同；
B.相反；
C.同步；
D.相同相反都有。
第4题
假设某气体在固体表面上吸附平衡时的压力p,远远小于该吸附质在相同温度下的饱和蒸气压.试由BE
假设某气体在固体表面上吸附平衡时的压力p,远远小于该吸附质在相同温度下的饱和蒸气压
.试由BET公式:
第5题
风力发电机组中，测量温度用PT100在室温下阻值正常为()
风力发电机组中，测量温度用PT100在室温下阻值正常为（)
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A . 90—100欧姆
B . 100—120欧姆
C . 120—140欧姆
D . 正的无穷大
第6题
证明状态方程P(V-b)=RT表达的流体的(a)Cp与压力无关;(b)在一个等焓变化过程中，温度是随压力的下降而上升。
证明状态方程P（V-b)=RT表达的流体的（a)Cp与压力无关;（b)在一个等焓变化过程中，温度是随压力的下降而上升。
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第9题
直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得N型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电
阻率上升。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为（）；一种是在550～800℃左右温度范围形成的，称为（）。
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