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第3题
硅材料二极管导通电压约为()，锗材料的约为()。
A.06～0.8V，0.1～0.2V
B.0.6～0.8V，0.2～0.3V
C.0.6～0.7V，0.1～0.2V
D.0.6～0.7V，0.2～0.3V
第8题
晶体三极管基极电流保持不变，当()时，三极管工作在饱和区。
A.发射结加正向电压，集电结加反向电压;
B.发射结加正向电压，集电结加正向电压;
C.发射结加反向电压，集电结加反向电压;
D.发射结加反向电压，集电结加正向电压。
第10题
关于并联(升压)型开关稳压电路，以下说法错误的是()。
A.开关调整管T导通时间越长，电感L储能越多，因此，当T截止时L向负载释放能量越多，在一定负载电流条件下，输出电压越高
B.为了提高开关稳压电源的效率，开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管(或MOSFET)
C.选择续流二极管要考虑导通、截止和转换三部分的损耗，因此选用正向压降小，反向电流小和存储时间短的开关二极管
D.开关稳压电路的开关频率一般为15〜500kHz，所以输岀端的滤波电容应便用低频电解电容
第11题
对二极管模型的描述不正确的是（)。
A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
B.二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
C.二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
D.二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
